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Nutzung neuer Silizium-IGBTs für Leistungsstarke Prüfanlagen
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Bereits 2018 baute die EAAT GmbH Chemnitz die erste Generation eines Wechselrichters für einen Prüfstand für Leistungskondensatoren. Dieser wurde in einer 3-Level-ANPC-Umrichtertopologie als Hybridlösung aus modernster SiC-MOSFET-Technologie und am Markt etablierten Si-IGBTs realisiert.
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